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探测器 >> 锗光电探测器 >> Ge雪崩光电二极管


	产品编号：	42111102116
	产品名称：	Ge雪崩光电二极管
	规　　格：	齐全
	产品备注：
	产品类别：	探测器

产品说明

Ge雪崩光电二极管

• OTDR

• 红外传感

• 电信

• 光通信

• 短距离通信/数据通信接收器

Ge雪崩光电二极管的电特性@25ºC

型号	GAV30 GAV40 GAV100 单位
量子效率(峰)	72(80) 72(80) 72(80) %最小(典型)
响应率@1300nm	.76(.84) .76(.84) .76(.84) A/W最小(典型) M=1
击穿电压^*	20/30/40 20/30/40 20/30/40 V最小/典型/最大
暗电流@0.9Vb	0.2(0.08) 0.2(0.10) 1.0(0.3) µA最大(典型)
电容@20V^**	0.9(0.7) 1.0(0.8) 1.8(1.6) pF最大(典型)
倍增暗电流	8 12 100 典型M=1
截止频率(-3dB)	2.0(2.5) 1.5(2.0) 0.6(0.9) GHz最小(典型)
过量噪声指数	0.95(所有大小) BW=1MHz M=10 I_ph=2µA典型
过量噪声因子	9(所有大小)@1300nm, f=300MHz 典型
Vb的温度系数	0.1(所有大小) %°C

*I_R=100µA **f=1MHz

Ge雪崩光电二极管的物理性质

GAV30 GAV40 GAV100

激活区直径(µm) 30 40 100

Case Styles TO-46(可更改的)/TO-46 SM和MM尾纤，激活坐和陶瓷衬底

最大额定值

GAV30 GAV40 GAV100 单位

储存温度 -40到85 -40到85 -40到85 °C

工作温度 -10到60 -10到60 -10到60 °C

反向电流 0.2 0.4 1.0 mA

正向电流 20 80 100 mA

点击数：1959 录入时间：2012/4/21 【打印此页】【关闭】

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