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长春海洋光电有限公司


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  产品展示
 
 探测器 >> 低噪声近红外雪崩光电探测器 >> IAV352雪崩光电二极管
 
产品编号:
4211121216
产品名称:
IAV352雪崩光电二极管
规  格:
齐全
产品备注:
产品类别:
探测器
 
   产 品 说 明

低噪声近红外雪崩光电探测器
 

IAV352雪崩光电二极管    
• 陶瓷小装配
• 350微米直径
• 其它详见如下说明

产品说明
客户:    任何人                   
NO.  IAV352
 
类型:雪崩光电二极管
CUST. DWG.
       PKG.
*陶瓷的
MAT  InGaAs
器件标志      
(a)                G
(b)                 IAV350
(C)                DC
A类和/或性能特征
NO.
参数条件@23ºC±2°C
最小
典型
最大
单位
1
波长范围
1000
 
1630
nm
2
响应率@M=1 1550nm波长
0.85
0.9
0.95
A/W
3
暗电流@M=10
 
30
250
nA
4
工作电压Vr@M=10
37
52
68
V
5
击穿电压Vbr(Id=10µA)
45
60
75
V
6
激活区直径
350
352
355
µm
7
电容@M=10
 
3.2
4.0
pF
8
带宽@M=5
 
0.6
 
GHz
9
带宽@M=10
 
0.6
 
GHz
10
带宽@M=20
 
0.6
 
GHz
11
过量噪声因子F@M=10
 
3.2
3.7
 
12
过量噪声因子F@M=20
 
5.5
6.0
 
13
噪声等效功率NEP@M=10
 
0.08
 
pW/Hz1/2
14
绝对最大条件
 
 
 
 
15
工作温度范围
0
 
70
°C
16
存储温度范围
-40
 
85
°C
17
最大反向电流
 
 
1
mA
18
最大正向电流
0
 
10
mA
19
光学输入(平均)
 
 
0
dBm
特殊要求
*陶瓷小装配略图#13344, 350微米直径激活区。
对于每一个单位,下列数据是要求的:击穿电压@10µA。工作电压和暗电流增益=10,1520,响应率(X.XX A/W)@M=11550nm. *试验条件@23°C±2°C

点击数:1797  录入时间:2012/4/21 【打印此页】 【关闭
 
 
 

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