产品说明
GA09型铜基底单层石墨烯(12mm圆形)X4片 CVD铜基单层石墨烯 铜基底单层石墨烯膜
单层石墨烯膜
描述：
● 生长方法：CVD生长
● 外观(颜色)：透明
● 光透过率：> 97%
● 外观(形式)：薄膜
● 覆盖率：> 95%
● 石墨烯层数：1层
● 厚度：0.345 nm
● 氧化铝基底FET电子迁移率：2000 cm2/Vs
● 氧化硅/硅基底霍尔电子迁移率：4000 cm2/Vs
● 氧化硅/硅基底方阻：450±40 Ω／□
● 晶粒尺寸：达到10μm
● GA09型CVD铜基底单层石墨烯薄膜的尺寸：(12mm圆形)X4片。
铜箔衬底：
● 铜箔厚度：18μm
应用领域：
Flexible batteries, Electronics, Aerospace industry, MEMS and NEMS, Microactuators, Conductive coatings, Research
● GA09型铜基底单层石墨烯的拉曼光谱：
|
