GA51型石英基底单层石墨烯(4英寸) 石英基底单层石墨烯膜 CVD石英基底单层石墨烯薄膜
描述：
● 光透过率：> 97%
● 覆盖率：> 95%
● 厚度：0.345 nm
● 氧化铝基底FET电子迁移率：2000 cm2/Vs
● 氧化硅/硅基底霍尔电子迁移率：4000 cm2/Vs
● 方阻：370±10Ω／□
● 晶粒尺寸：达到10μm
● GA51型CVD 石英基底单层石墨烯薄膜的尺寸：直径4英寸。
● 有特殊要求的用户可订制。
石英衬底：
● 厚度：500μm
● 平面度、翘曲：20μm；弯曲：30μm
● 粗糙度：6Å(抛光面)
● 双面抛光
● GA51型石英基底单层石墨烯的拉曼光谱： 
应用领域：
Solar cells, Touch-screens and displays, Photodetectors, Light harvesting devices
|
