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传感器类型 |
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Si
UV-Si
IR
IRE |
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光谱范围 |
Si
UV-Si
IR
IRE |
350-1100nm
190-1100nm
800-1800nm
1200-2700nm |
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刀片数 |
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3（BA3头）
7（BA7头） |
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光束尺寸范围 |
BA3-Si和BA3-UV
BA7-Si和BA7-UV(椭圆形)
BA7-Si和BA7-UV（圆形）
BA3-IR3和BA3-IR3-E
BA7-IR3和BA7-IR3-E
BA3-IR5
BA7-IR5 |
3µm-5mm
15µm-10mm
15µm-9mm
3µm-3mm
15µm-3mm
3µm-5mm
15µm-5mm |
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光束宽度分辨率 |
>100µm
<100µm |
1µm
0.1µm |
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光束宽度精确度 |
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±2% |
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功率范围 |
Si和UV-Si探头
InGaAs探头 |
10µW-1W(有衰减片)
10µW-5mW(无衰减片) |
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功率精确度 |
Si和UV-Si探头
InGaAs探头 |
±5%
±10% |
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功率分辨率 |
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0.1µW |
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位置精确度 |
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±15µm |
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位置分辨率 |
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1µm |
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饱和度 |
Si和UV-Si探头 |
0.1W/cm2(无衰减片)，20W/cm2(NG9) |
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测量速率 |
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5Hz |
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温度 |
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0℃-35℃ |
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PC接口 |
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USB2.0 |
