氧化镓是新一代功率半导体和深紫外光电子半导体材料，其禁带宽度为4.9eV，远远大于氮化镓（3.3eV）、碳化硅（3.4eV）和硅（1.1eV）的禁带宽度。在功率半导体方面，氧化镓的击穿电场强度是硅的20多倍，是碳化硅和氮化家的2倍多，氧化镓的击穿电场强度可达8MV/cm。由于氧化镓在诸多领域的重要应用价值,氧化镓材料和器件的研究与应用，已成为当前研究与开发的热点和重点。为此，我们提供(AlxGa1-x)2O3外延片和相应的的Ga2O3单晶衬底。
主要参数指标：
|
外延层
|
参数指标
|
|
|
Al的摩尔分数
|
x≦0.23
|
|
|
掺杂剂
|
Si (n-型)
|
|
|
掺杂浓度
|
≦1x1018 cm-3
|
|
|
外延层厚度
|
≦60 nm
|
|
|
外延片衬底
|
参数指标
|
|
掺杂剂
|
Sn (n-型)
|
Fe(半绝缘)
|
|
掺杂浓度
|
1~9x1018 cm-3
|
-
|
|
电阻率
|
-
|
≧1010 Ωcm
|
|
晶面
|
(010)
|
|
尺寸
|
10x15 mm2
|
|
厚度
|
0.5 mm
|
|
XRD FWHM
|
≦150 arcsec
|
|
偏离角度
|
0°±1°
|
|
